Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 680 mA, SOT-223, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 250-0535
- 制造商零件编号:
- BSP316PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0535
- 制造商零件编号:
- BSP316PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 680 mA | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 680 mA | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
英飞凌制造的这款 SIPMOS、小信号-晶体管 P 沟道型、增强模式 mosfet。该器件具有dv/dt 等级、P 沟道型、增强模式晶体管被广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。
Vds 是 100 V，RDS（接通）是 1.8 Ω，Id 是 0.68 A
最大功耗为360 mW
最大功耗为360 mW