Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-100 V, Id=0.68 A, 3针, SOT-223, BSP系列
- RS 库存编号:
- 250-0536P
- 制造商零件编号:
- BSP316PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB3.41 |
| 100 - 245 | RMB3.236 |
| 250 - 495 | RMB3.076 |
| 500 + | RMB2.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0536P
- 制造商零件编号:
- BSP316PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.68A | |
| 最大漏源电压 Vd | -100V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | BSP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1800mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 0.68A | ||
最大漏源电压 Vd -100V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 BSP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1800mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌制造的这款 SIPMOS、小信号-晶体管 P 沟道型、增强模式 mosfet。该器件具有dv/dt 等级、P 沟道型、增强模式晶体管被广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。
Vds 是 100 V，RDS（接通）是 1.8 Ω，Id 是 0.68 A
最大功耗为360 mW