Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 3.7 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, BSR802NL6327HTSA1, BSR系列
- RS 库存编号:
- 250-0540
- 制造商零件编号:
- BSR802NL6327HTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB4.088 | RMB20.44 |
| 10 - 95 | RMB3.884 | RMB19.42 |
| 100 - 245 | RMB3.688 | RMB18.44 |
| 250 - 495 | RMB3.504 | RMB17.52 |
| 500 + | RMB3.332 | RMB16.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0540
- 制造商零件编号:
- BSR802NL6327HTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | BSR | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| Distrelec Product Id | 304-40-497 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.7A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 BSR | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
Distrelec Product Id 304-40-497 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌制造的这款 Optimos 2 小信号晶体管。它是 P 沟道型增强模式晶体管，广泛应用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。
逻辑等级（4.5V额定值）
雪崩额定值且100%无铅
最大功耗为360 mW