制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=3.7 A, 3针, SOT-223, BSR系列

RS 库存编号:: 250-0540
Distrelec 货号:: 304-40-497
制造商零件编号:: BSR802NL6327HTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=3.7 A, 3针, SOT-223, BSR系列

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RS 库存编号:: 250-0540
Distrelec 货号:: 304-40-497
制造商零件编号:: BSR802NL6327HTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	3.7A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	SOT-223
	系列	BSR
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	32mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 3.7A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 SOT-223
	系列 BSR
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 32mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSR802NL6327HTSA1

英飞凌制造的这款 Optimos 2 小信号晶体管。它是 P 沟道型增强模式晶体管，广泛应用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。

逻辑等级（4.5V额定值）

雪崩额定值且100%无铅

最大功耗为360 mW

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