Infineon N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=250 V, 0.1 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
250-0544P
制造商零件编号:
BSS139H6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.1A

最大漏源电压 Vd

250V

系列

BSS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5mΩ

通道模式

消耗

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

Distrelec Product Id

304-40-498

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌制造的 SIPMOS 小信号晶体管是 N 沟道型消耗模式小信号 MOSFET 晶体管,广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。它具有 dv /dt 等级。它在卷筒上有VGS(th)指示灯。无卤无铅镀层。

无铅引线镀层

最大功耗为 360 mW