制造商编号

Infineon P型沟道耗尽型MOSFET, Vds=100 V, Id=0.9 A, 3针, SOT-23, BSS系列

RS 库存编号:: 250-0551
Distrelec 货号:: 304-40-500
制造商零件编号:: BSS169H6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道耗尽型MOSFET, Vds=100 V, Id=0.9 A, 3针, SOT-23, BSS系列

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RS 库存编号:: 250-0551
Distrelec 货号:: 304-40-500
制造商零件编号:: BSS169H6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	0.9A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	BSS
	包装类型	SOT-23
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.5mΩ
	通道模式	耗尽
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	81W
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 0.9A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 BSS
	包装类型 SOT-23
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ
	通道模式耗尽
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 81W
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSS169H6327XTSA1

Infineon 使 N 通道衰减模式小信号 MOSFET 晶体管广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。它是一款 SIPMOS 小信号晶体管，dv/dt 等级，并提供卷筒上的 V GS（th）指示灯。

VDS为100V，Rds（接通），最大为12W，IDSS，最小为0.09A

最大功率耗为360 mW

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