Infineon P型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=100 V, 0.9 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS169H6327XTSA1, BSS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
250-0551
制造商零件编号:
BSS169H6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

0.9A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

BSS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5mΩ

通道模式

消耗

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-500

Infineon 使 N 通道衰减模式小 信号 MOSFET 晶体管广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。它是一款 SIPMOS 小信号晶体管,dv/dt 等级,并提供卷筒上的 V GS(th)指示灯。

VDS为100V,Rds(接通),最大为12W,IDSS,最小为0.09A

最大功率耗为360 mW