Infineon N型沟道耗尽型MOSFET, Vds=100 V, Id=0.17 A, 3针, SOT-23, BSS系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 20 件 (按连续条带形式提供)*

RMB43.58

(不含税)

RMB49.24

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 7,010 件在 2026年9月28日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
20 - 90RMB2.179
100 - 240RMB2.072
250 - 490RMB1.969
500 +RMB1.869

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
250-0551P
制造商零件编号:
BSS169H6327XTSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

0.17A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-23

系列

BSS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

12000mΩ

通道模式

耗尽

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 使 N 通道衰减模式小 信号 MOSFET 晶体管广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。它是一款 SIPMOS 小信号晶体管,dv/dt 等级,并提供卷筒上的 V GS(th)指示灯。

VDS为100V,Rds(接通),最大为12W,IDSS,最小为0.09A

最大功率耗为360 mW

相关链接