Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 0.28 A, SOT-323, 表面安装, 3引脚, BSS209PWH6327XTSA1, BSS系列
- RS 库存编号:
- 250-0554
- 制造商零件编号:
- BSS209PWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥9.84
(不含税)
¥11.12
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB0.984 | RMB9.84 |
| 20 - 90 | RMB0.935 | RMB9.35 |
| 100 - 240 | RMB0.888 | RMB8.88 |
| 250 - 490 | RMB0.843 | RMB8.43 |
| 500 + | RMB0.803 | RMB8.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0554
- 制造商零件编号:
- BSS209PWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.28A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SOT-323 | |
| 系列 | BSS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 0.28A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SOT-323 | ||
系列 BSS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌制造的增强模式的P沟道型晶体管被广泛应用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。此器件是 OptiMOS-P 小信号晶体管，其超级逻辑电平为2.5V（额定）。工作温度为150°C。它具有雪崩和 dv /dt 等级。它是无铅电镀的、无卤素。
VDS 为-20 V，RDS（接通），最大550 mΩ，Id 是 -0.63 A
最大功耗为500mW