Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-20 V, Id=630 mA, 3针, SOT-323, BSS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
250-0554
制造商零件编号:
BSS209PWH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

630mA

最大漏源电压 Vd

-20V

包装类型

SOT-323

系列

BSS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

550mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌制造的增强模式的P沟道型晶体管被广泛应用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。此器件是 OptiMOS-P 小信号晶体管，其超级逻辑电平为2.5V（额定）。工作温度为150°C。它具有雪崩和 dv /dt 等级。它是无铅电镀的、无卤素。

VDS 为-20 V，RDS（接通），最大550 mΩ，Id 是 -0.63 A

最大功耗为500mW

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