Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 0.23 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS系列
- RS 库存编号:
- 250-0555
- 制造商零件编号:
- BSS306NH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥1,776.00
(不含税)
¥2,007.00
(含税)
有库存
- 15,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.592 | RMB1,776.00 |
| 6000 - 6000 | RMB0.58 | RMB1,740.00 |
| 9000 + | RMB0.562 | RMB1,686.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0555
- 制造商零件编号:
- BSS306NH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.23A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | BSS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 0.23A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 BSS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌制造的 N 沟道型增强模式 小信号 MOSFET 晶体管 被广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。此器件是 OptiMOS 2、小信号晶体管。逻辑级别（4.5V 额定值）和雪崩等级。它100%无铅且无卤。
N 沟道型、增强模式
逻辑级别4.5V 等级
最大功耗为 500mW