Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 0.54 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
250-0560P
制造商零件编号:
BSS670S2LH6433XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

0.54A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

BSS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌制造的这种OptiMOS降压转换器系列N—沟道型增强模式 它具有雪崩等级且无卤素。

VDS为55 V,Rds(接通)为650 mΩ,Id为0.54 A

无卤

最大功耗为360mW