制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-20 V, Id=1.50 A, 6针, US, BSV系列

RS 库存编号:: 250-0561
制造商零件编号:: BSV236SPH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-20 V, Id=1.50 A, 6针, US, BSV系列

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* 参考价格

RS 库存编号:: 250-0561
制造商零件编号:: BSV236SPH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1.50A
	最大漏源电压 Vd	-20V
	包装类型	US
	系列	BSV
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	4.20mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1.50A
	最大漏源电压 Vd -20V
	包装类型 US
	系列 BSV
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 4.20mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSV236SPH6327XTSA1

英飞凌OptiMOS-P是一种小信号晶体管，在增强模式下是P沟道型。超逻辑电平（2.5 V 额定值）。它具有雪崩等级和dv/dt 等级。

VDS为20 V，Rds（接通）为175 mΩ，Id是1.5A

150°C工作温度

最大功耗为560mW

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