Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, -1.5 A, US, 表面安装, 6引脚, BSV系列
- RS 库存编号:
- 250-0561
- 制造商零件编号:
- BSV236SPH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0561
- 制造商零件编号:
- BSV236SPH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -1.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | BSV | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -1.5A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 BSV | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌OptiMOS-P是一种小信号晶体管，在增强模式下是P沟道型。超逻辑电平（2.5 V 额定值）。它具有雪崩等级和dv/dt 等级。
VDS为20 V，Rds（接通）为175 mΩ，Id是1.5A
150°C工作温度
最大功耗为560mW