Infineon N型, P型沟道MOSFET, Vds=+20 V, Id=5.10 A, 8针, PQFN, BSZ系列
- RS 库存编号:
- 250-0564P
- 制造商零件编号:
- BSZ15DC02KDHXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB10.364 |
| 100 - 245 | RMB9.852 |
| 250 - 495 | RMB9.362 |
| 500 + | RMB8.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0564P
- 制造商零件编号:
- BSZ15DC02KDHXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.10A | |
| 最大漏源电压 Vd | +20V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | BSZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.10A | ||
最大漏源电压 Vd +20V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 BSZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
通道模式 P | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌制造的这种互补P + N 沟道型，增强模式。它具有雪崩等级和无卤。此器件是 OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 小信号晶体管，具有超逻辑级别（2.5V 额定值）。它有共同的排水口，且具有雪崩等级。工作温度为175°C。它100%无铅、无卤。
超逻辑级别（2.5V 额定值）
100% 无铅