Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, -2.8 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, ISP系列

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RS 库存编号:
250-0565
制造商零件编号:
ISP25DP06LMSATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-2.8A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOT-223

系列

ISP

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

采用SOT-223封装的英飞凌OptiMOS™ P沟道小信号MOSFET 60V,是针对消费者应用的新技术。P 沟道型小信号器件的主要优点是减少中等和低功率应用中的设计复杂性。

易于接口至MCU

快速切换

雪崩坚固性