Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, -2.8 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, ISP25DP06LMSATMA1, ISP系列
- RS 库存编号:
- 250-0566
- 制造商零件编号:
- ISP25DP06LMSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB4.292 | RMB21.46 |
| 10 - 95 | RMB4.08 | RMB20.40 |
| 100 - 245 | RMB3.876 | RMB19.38 |
| 250 - 495 | RMB3.68 | RMB18.40 |
| 500 + | RMB3.496 | RMB17.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0566
- 制造商零件编号:
- ISP25DP06LMSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -2.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | ISP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -2.8A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 ISP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
采用SOT-223封装的英飞凌OptiMOS™ P沟道小信号MOSFET 60V，是针对消费者应用的新技术。P 沟道型小信号器件的主要优点是减少中等和低功率应用中的设计复杂性。
易于接口至MCU
快速切换
雪崩坚固性