Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 273 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列
- RS 库存编号:
- 250-0592
- 制造商零件编号:
- IPB60R060C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0592
- 制造商零件编号:
- IPB60R060C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 273A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 273A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 CoolMOS C7 是一项针对高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计，由英飞凌技术开创。此系列将领先的超结 MOSFET 供应商的经验与高级创新结合在一起。600V C7是有史以来第一个RDS（接通）A低于1Ohm*mm²的技术。 它适用于硬质和软质切换（PFC 和高性能 LLC）。它的MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns，并提高了效率。
通过降低开关损耗实现更高的系统效率
功率密度增加的解决方案得益于由于较小的封装
适用于服务器、电信和太阳能等应用