Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 400 A, HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT60R055CFD7XTMA1, IPT系列

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250-0595P
制造商零件编号:
IPT60R055CFD7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

400A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IPT

包装类型

HSOF-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌 CoolMOS 是一项针对高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计,由英飞凌技术开创。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是一个专门针对软开关应用的优化平台,如移相全桥(ZVS)和LLC,它降低了栅极电荷(Qg),具有最佳的反向恢复电荷(Qrr),并改善了关断行为。 CoolMOS CFD7在谐振拓扑中具有最高效率。

SMD 和 THD 封装中的同类最佳 RDS(接通)

出色的硬质交换坚固性

谐振拓扑的最高可靠性

最高的效率,出色的易用性/性能权衡

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