Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 60 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, IPW65R060CFD7XKSA1, IPW系列

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制造商零件编号:
IPW65R060CFD7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-247

系列

IPW

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品,是650V CoolMOS CFD2的成功之作。得益于改进的切换性能和出色的热性能。它在谐振开关拓扑结构中提供了最高的效率,如LLC和移相全桥(ZVS)。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换向稳固性。该技术符合最高效率和可靠性标准,此外,还支持高功率密度解决方案。

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