Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=50 V, 0.41 A, LFPAK88, 表面安装, 4引脚

可享批量折扣

小计 50 件 (按连续条带形式提供)*

¥1,628.50

(不含税)

¥1,840.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 1,982 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
50 - 98RMB32.57
100 - 248RMB31.92
250 - 998RMB31.285
1000 +RMB30.655

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
251-7923P
制造商零件编号:
PSMNR90-50SLHAX
制造商:
Nexperia
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.41A

最大漏源电压 Vd

50V

包装类型

LFPAK88

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.9mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

375W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

112nC

最高工作温度

175°C

高度

8.1mm

标准/认证

No

宽度

1.7 mm

长度

8.1mm

汽车标准

AEC-Q101

Nexperia 410 Amp 连续电流、逻辑电平栅极驱动器 N 沟道增强模式 MOSFET,采用 175 °C LFPAK88 封装。ASFET 的一部分,用于电池隔离和直流电动机控制系列,采用 Nexperia 独特的“SchottkyPlus”技术,提供高效率和低尖峰性能,通常与带集成肖特基或肖特基式二极管的 MOSFET 相关,但没有高漏电流问题。

铜夹和焊接芯片粘贴,实现低封装电感和电阻以及高 ID(最大)额定值

温度可达 175 °C

雪崩等级,100% 测试

低 QG、QGD 和 QOSS,可实现高效率,尤其是在较高的开关频率下

带有软体二极管恢复的超快开关,可实现低尖峰和振铃,推荐用于低 EMI 设计

VGS(th)额定值范围小,便于并联和改善电流共享

十分强的线性模式/安全工作区特性,可在大电流条件下实现安全可靠的切换