Vishay P沟道MOS管, Vds=30 V, 12.1 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 252-0243
- 制造商零件编号:
- SI4151DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-0243
- 制造商零件编号:
- SI4151DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 12.1 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 12.1 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SO-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
Vishay Siliconix MOSFET 产品系列包括多种先进技术。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。场效应意味着它们由电压控制。P 沟道 MOSFET 衬底包含电子和电子空穴。P 沟道 MOSFET 连接到正电压。当提供给栅极端子的电压低于源电压时，这些 MOSFET 将导通。
TrenchFET 功率 MOSFET
100% 通过 Rg 和 UIS 测试