Vishay N沟道MOS管, Vds=100 V, 27.7 A, PowerPak SO-8DC, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 252-0252
- 制造商零件编号:
- SIDR510EP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-0252
- 制造商零件编号:
- SIDR510EP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 27.7 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | PowerPak SO-8DC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 27.7 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 PowerPak SO-8DC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
Vishay Siliconix MOSFET 产品系列包括多种先进技术。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。场效应意味着它们由电压控制。N 沟道 MOSFET 包含可自由移动的额外电子。它们是更常见的沟道类型。N 沟道 MOSFET 将在向栅极端子施加正电荷时工作。
TrenchFET Gen V 功率 MOSFET
非常低的 RDS - Qg 品质因数 (FOM)
进行过调节，以实现最低 RDS - Qoss FOM
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
非常低的 RDS - Qg 品质因数 (FOM)
进行过调节，以实现最低 RDS - Qoss FOM
100% 通过 Rg 和 UIS 测试