Vishay N型沟道 消耗型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 33 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, EF系列

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252-0265
制造商零件编号:
SIHK075N60EF-T1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

33A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

EF

包装类型

PowerPAK 10 x 12

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.061Ω

通道模式

消耗

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

72nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

192W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

+150°C

宽度

5.15mm

标准/认证

RoHS

长度

6.15mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay EF 系列功率 MOSFET,650 V 最大漏源电压,33 A 最大连续漏电流 - SIHK075N60EF-T1GE3


这款功率 MOSFET 是一款高压开关设备,专为严苛的电力电子和汽车环境而设计。它作为N通道耗尽模式晶体管运行,适用于高电压应用,为工业控制和车辆电子系统提供电流容量和热耐久性的平衡。

特性和优点:


• 650V 额定值支持高电压开关应用 • 33 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.061Ω 低 Rds(on) 可减少传导损耗 • 192W 功耗可实现更高的功率处理 • 72nC 典型栅极电荷可实现可预测的栅极驱动尺寸 • 20 V 最大栅极-源电压可适应强大的驱动范围

应用


• 适用于自动化系统中的变频器和电机驱动级 • 适用于电动车辆中的高电压直流-直流转换器 • 用于工业设备电源中的主开关 • 可用于牵引力和辅助车辆电力电子设备

它在运行过程中可承受的温度范围是多少?


它的工作温度范围为-55°C至+150°C,可在汽车和工业装置中常见的广泛环境和热条件下使用。

设计人员应在板上考虑哪种封装类型?


该设备采用 8 引脚 PowerPAK 10x12 表面贴装封装,因此应使用该封装的热垫布局和焊接型材。

为实现可靠开关,必须遵守哪些栅极驱动限制?


最大栅极-源电压为 20V

栅极驱动器应设计为保持在该限值范围内,同时提供足够的压力以管理 72nC 栅极电荷。

这款设备是否有任何认证或环境标准?


它符合RoHS要求,并符合AEC-Q101汽车组件认证标准。