Vishay N型沟道 消耗型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 19 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK185N60E-T1-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 252-0268P
- 制造商零件编号:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 98 | RMB28.875 |
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| 250 - 998 | RMB26.06 |
| 1000 + | RMB24.755 |
* 参考价格
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- 252-0268P
- 制造商零件编号:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.16Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最大功耗 Pd | 114W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 19A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 E | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.16Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC | ||
最大功耗 Pd 114W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
宽度 5.15mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 最大漏源电压,19 A 最大连续漏电流 - SIHK185N60E-T1-GE3
此功率 MOSFET 是一种高电压开关设备,用于要求严苛的电子系统中的功率转换和控制。它专为紧凑型组件中的表面安装而设计,可用作N通道耗尽模式晶体管,适用于需要高温耐受性和稳健电压处理的应用。
特性和优点：
• 650V 排放额定值可实现高电压切换能力 • 19 A 连续漏电流支持大量负载处理 • 0.16Ω Rds(on) 可最大限度减少传导损耗,从而提高效率 • 33nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量 • 114W 功耗可在紧凑布局中管理热负载 • ±20V 栅极容差可简化栅极驱动设计和保护
应用
• 适用于工业自动化领域的高压电源 • 适用于电机控制系统中的变频器级别 • 用于重型电气设备的直流-直流转换 • 可用于配电模块中的开关模式功能
它能承受的工作温度范围是多少?
它的工作温度范围为-55°C至+150°C,可在热变化较大的环境中使用。
用于 PCB 集成的封装类型是什么?
该设备采用表面贴装 PowerPAK 10x12 封装,带八个引脚,用于紧凑型组装。
该设备如何满足汽车开发需求?
它符合AEC-Q101认证,支持需要汽车级组件坚固性的设计。
物理尺寸是多少?
该组件长度为 6.15 mm,宽度为 5.15 mm,适用于节省空间的布局。