Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 65.7 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR1309DP-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 252-0271
- 制造商零件编号:
- SIR1309DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-0271
- 制造商零件编号:
- SIR1309DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.01mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 54nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 65.7A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.01mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5.15 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET 产品系列包括多种先进技术。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。场效应意味着它们由电压控制。P 沟道 MOSFET 衬底包含电子和电子空穴。P 沟道 MOSFET 连接到正电压。当提供给栅极端子的电压低于源电压时，这些 MOSFET 将导通。
TrenchFET Gen IV P 沟道功率 MOSFET
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