制造商编号

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=65.7 A, 8针, PowerPAK SO-8

RS 库存编号:: 252-0271
制造商零件编号:: SIR1309DP-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=65.7 A, 8针, PowerPAK SO-8

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RS 库存编号:: 252-0271
制造商零件编号:: SIR1309DP-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	65.7A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	PowerPAK SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.01mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	54nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	83W
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	长度	6.15mm
	宽度	5.15mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 65.7A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 PowerPAK SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.01mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 83W
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	长度 6.15mm
	宽度 5.15mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SIR1309DP-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET 产品系列包括多种先进技术。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。场效应意味着它们由电压控制。P 沟道 MOSFET 衬底包含电子和电子空穴。P 沟道 MOSFET 连接到正电压。当提供给栅极端子的电压低于源电压时，这些 MOSFET 将导通。

TrenchFET Gen IV P 沟道功率 MOSFET

100% 通过 Rg 测试

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