Vishay , 2 N型沟道 双 双 N 沟道 30 V (D-S) MOSFET, Vds=30 V, 100 A, PowerPAIR 3 x 3FS, 表面安装, 12引脚, SIZF5302DT-T1-RE3
- RS 库存编号:
- 252-0295
- 制造商零件编号:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB10.204 | RMB51.02 |
| 50 - 95 | RMB9.696 | RMB48.48 |
| 100 - 245 | RMB9.212 | RMB46.06 |
| 250 - 995 | RMB8.752 | RMB43.76 |
| 1000 + | RMB8.316 | RMB41.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-0295
- 制造商零件编号:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 双 N 沟道 30 V (D-S) MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0032Ω | |
| 最大功耗 Pd | 48.1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 双 N 沟道 30 V (D-S) MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAIR 3 x 3FS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 12 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0032Ω | ||
最大功耗 Pd 48.1W | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Siliconix MOSFET 产品系列包括多种先进技术。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。场效应意味着它们由电压控制。N 沟道 MOSFET 包含可自由移动的额外电子。它们是更常见的沟道类型。N 沟道 MOSFET 将在向栅极端子施加正电荷时工作。
TrenchFET Gen V 功率 MOSFET
对称双 N 沟道
倒装芯片技术最佳热设计
优化了高边和低边 MOSFET 构型
适用于 50% 占空比的组合
经过优化的 RDS - Qg 和 RDS - Qgd FOM 可以提高效率
适用于高频切换