制造商编号

Vishay N沟道双 N 沟道 30 V (D-S) MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=100 A, 12针, PowerPAIR 3 x 3FS

RS 库存编号:: 252-0295
制造商零件编号:: SIZF5302DT-T1-RE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道双 N 沟道 30 V (D-S) MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=100 A, 12针, PowerPAIR 3 x 3FS

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5 - 45	RMB18.106	RMB90.53
50 - 95	RMB17.204	RMB86.02
100 - 245	RMB16.344	RMB81.72
250 - 995	RMB15.528	RMB77.64
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RS 库存编号:: 252-0295
制造商零件编号:: SIZF5302DT-T1-RE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	双 N 沟道 30 V (D-S) MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	PowerPAIR 3 x 3FS
	安装类型	表面
	引脚数目	12
	最大漏源电阻 Rd	0.0032Ω
	最大功耗 Pd	48.1W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	6.7nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	16V
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	双
	标准/认证	No
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型双 N 沟道 30 V (D-S) MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 PowerPAIR 3 x 3FS
	安装类型表面
	引脚数目 12
	最大漏源电阻 Rd 0.0032Ω
	最大功耗 Pd 48.1W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.7nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 16V
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置双
	标准/认证 No
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

Vishay Siliconix MOSFET 产品系列包括多种先进技术。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。场效应意味着它们由电压控制。N 沟道 MOSFET 包含可自由移动的额外电子。它们是更常见的沟道类型。N 沟道 MOSFET 将在向栅极端子施加正电荷时工作。

TrenchFET Gen V 功率 MOSFET

对称双 N 沟道

倒装芯片技术最佳热设计

优化了高边和低边 MOSFET 构型

适用于 50% 占空比的组合

经过优化的 RDS - Qg 和 RDS - Qgd FOM 可以提高效率

适用于高频切换

Vishay N沟道双 N 沟道 30 V (D-S) MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=100 A, 12针, PowerPAIR 3 x 3FS

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