Vishay , 2 N型沟道 对称双 N 沟道 MOSFET, Vds=40 V, 159 A, PowerPAIR 6 x 5FS, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 252-0296
- 制造商零件编号:
- SIZF640DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SIZF640DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 159A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerPAIR 6 x 5FS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00137Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 对称双 N 沟道 | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 159A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerPAIR 6 x 5FS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00137Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 对称双 N 沟道 | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Siliconix MOSFET 产品系列包括多种先进技术。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。场效应意味着它们由电压控制。N 沟道 MOSFET 包含可自由移动的额外电子。它们是更常见的沟道类型。N 沟道 MOSFET 将在向栅极端子施加正电荷时工作。
TrenchFET Gen IV 功率 MOSFET
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
对称双 N 沟道
倒装芯片技术最佳热设计
优化了高边和低边 MOSFET 构型
适用于 50% 占空比的组合