Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 118 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SQJ184EP-T1_GE3
- RS 库存编号:
- 252-0307
- 制造商零件编号:
- SQJ184EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥47.39
(不含税)
¥53.55
(含税)
有库存
- 另外 3,000 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB9.478 | RMB47.39 |
| 50 - 95 | RMB9.002 | RMB45.01 |
| 100 - 245 | RMB8.554 | RMB42.77 |
| 250 - 995 | RMB8.128 | RMB40.64 |
| 1000 + | RMB7.722 | RMB38.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-0307
- 制造商零件编号:
- SQJ184EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 118A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK (8x8L) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.04mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 118A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK (8x8L) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.04mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.9 mm | ||
长度 6.15mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay 汽车 MOSFET 采用专用工艺流程制造，坚固耐用。Vishay Siliconix SQ 系列符合 AEC-Q101 标准，额定最高接点温度为 175°C，采用低导通电阻 N 沟道和 P 沟道 FET 技术，采用无铅 (Pb) 和无卤素 SO 封装。
TrenchFET 功率 MOSFET
符合 AEC-Q101 标准
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
厚度为 1.9 mm