Vishay N沟道MOS管, Vds=80 V, 245 A, PowerPAK SO-8L, 贴片安装, 4引脚

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RS 库存编号:
252-0315
制造商零件编号:
SQJQ186E-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

N

最大连续漏极电流

245 A

最大漏源电压

80 V

封装类型

PowerPAK SO-8L

安装类型

贴片

引脚数目

4

每片芯片元件数目

1

Vishay 汽车 MOSFET 采用专用工艺流程制造，坚固耐用。Vishay Siliconix SQ 系列符合 AEC-Q101 标准，额定最高接点温度为 175°C，采用低导通电阻 N 沟道和 P 沟道 FET 技术，采用无铅 (Pb) 和无卤素 SO 封装。

TrenchFET Gen IV 功率 MOSFET
符合 AEC-Q101 标准
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
厚度为 1.9 mm

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。