Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 245 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SQJQ186E-T1_GE3, TrenchFET Gen IV系列
- RS 库存编号:
- 252-0316
- 制造商零件编号:
- SQJQ186E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB21.265 | RMB42.53 |
| 50 - 98 | RMB20.205 | RMB40.41 |
| 100 - 248 | RMB19.195 | RMB38.39 |
| 250 - 998 | RMB18.235 | RMB36.47 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-0316
- 制造商零件编号:
- SQJQ186E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 245A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | TrenchFET Gen IV | |
| 包装类型 | PowerPAK (8x8L) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0014mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 高度 | 1.9mm | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 245A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 TrenchFET Gen IV | ||
包装类型 PowerPAK (8x8L) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0014mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
宽度 4.9 mm | ||
高度 1.9mm | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay 汽车 MOSFET 采用专用工艺流程制造，坚固耐用。Vishay Siliconix SQ 系列符合 AEC-Q101 标准，额定最高接点温度为 175°C，采用低导通电阻 N 沟道和 P 沟道 FET 技术，采用无铅 (Pb) 和无卤素 SO 封装。
TrenchFET Gen IV 功率 MOSFET
符合 AEC-Q101 标准
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
厚度为 1.9 mm