ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 40 A, HSMT-8, RH6P040BH系列

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包装方式:
RS 库存编号:
252-3155P
制造商零件编号:
RH6P040BHTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

RH6P040BH

包装类型

HSMT-8

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.7nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

104W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS, Pb Free

汽车标准

AEC-Q101

Rohms RH 系列功率 Mosfet 具备低接通电阻,适合用于开关。无卤,并通过了 100% Rg 和 UIS 测试,输入电压为 100 V。

工作接点和存储温度范围为 -55°C 至 +150°C

安装在 cu 板上

漏电流为 40 A

功耗为 59 W