Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=12 V, Id=2.1 A, PICOSTAR
- RS 库存编号:
- 252-8473
- 制造商零件编号:
- CSD13381F4T
- 制造商:
- Texas Instruments
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 包，共 10 件）*
RMB57.85
(不含税)
RMB65.37
(含税)
有库存
- 930 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.785 | RMB57.85 |
| 50 - 90 | RMB5.669 | RMB56.69 |
| 100 - 140 | RMB5.556 | RMB55.56 |
| 150 + | RMB5.445 | RMB54.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-8473
- 制造商零件编号:
- CSD13381F4T
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | PICOSTAR | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.9W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.1A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 PICOSTAR | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.9W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
相关链接
- Texas Instruments N沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 2.1 A, PICOSTAR, 表面安装
- Texas Instruments N沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 182 A, PICOSTAR, 表面安装, CSD13383F4T
- Texas Instruments N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 1.5 A, PICOSTAR, 表面安装, CSD17483F4T
- Texas Instruments N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2.3 A, PICOSTAR, 表面安装, CSD17382F4T
- Texas Instruments P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-12 V, 2.9 A, PICOSTAR, 表面安装, CSD23280F3T
- Texas Instruments N沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 182 A, PICOSTAR, 表面安装
- Texas Instruments P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-20 V, -3.6 A, PICOSTAR, 表面安装, CSD25501F3T
- Texas Instruments N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 1.5 A, PICOSTAR, 表面安装