Texas Instruments N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 5 A, WSON, 表面安装
- RS 库存编号:
- 252-8493
- 制造商零件编号:
- CSD85301Q2T
- 制造商:
- Texas Instruments
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- CSD85301Q2T
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | WSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.3W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 WSON | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.2nC | ||
最大功耗 Pd 2.3W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||