Texas Instruments N沟道MOSFET, Id=8 A, Picostar YSE 6
- RS 库存编号:
- 252-8633
- 制造商零件编号:
- CSD83325LT
- 制造商:
- Texas Instruments
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- 制造商零件编号:
- CSD83325LT
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 包装类型 | Picostar YSE 6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.9nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.3W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
包装类型 Picostar YSE 6 | ||
安装类型 表面 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 10V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.9nC | ||
最大功耗 Pd 2.3W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
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