Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, PG-HSOF-5, 表面安装, 8引脚, IAUA系列

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RS 库存编号:
254-7197
制造商零件编号:
IAUA200N04S5N010AUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PG-HSOF-5

系列

IAUA

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineons IAUA 系列汽车 MOSFET 包含 n 通道,增强模式在正常水平,工作温度为 175°C。它是绿色产品,具有增强型电气测试。

坚固的设计,从排放到源的额定电压为 40 V,功耗为 167 W