onsemi N沟道MOS管, Vds=650 V, 106 A, D2PAK-7L, 贴片安装

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RS 库存编号:
254-7662
制造商零件编号:
NTBG025N065SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

106 A

最大漏源电压

650 V

封装类型

D2PAK-7L

安装类型

贴片

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,19 mohm,650 V,M2,D2PAK-7L 碳化硅 (SiC) MOSFET - 19 mohm,650 V,M2,D2PAK−7L


ON Semiconductor NTB 系列碳化硅 MOSFET 采用全新技术,与硅相比,提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外,具有低接通电阻和紧凑型芯片尺寸。它可确保低电容和门充电。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

用于电信中超低栅极充电,高速切换和低电容

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