onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 58 A, TO-263, 通孔安装, 7引脚, NTB系列

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制造商零件编号:
NTBG025N065SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

58A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

NTB

包装类型

TO-263

安装类型

通孔

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

22 V

正向电压 Vf

4.5V

最大功耗 Pd

117W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

164nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,19 mohm,650 V,M2,D2PAK-7L 碳化硅 (SiC) MOSFET - 19 mohm,650 V,M2,D2PAK−7L


ON Semiconductor NTB 系列碳化硅 MOSFET 采用全新技术,与硅相比,提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外,具有低接通电阻和紧凑型芯片尺寸。它可确保低电容和门充电。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

用于电信中超低栅极充电,高速切换和低电容