onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 58 A, HPSOF-8L, 通孔安装, 7引脚, NTB系列

可享批量折扣

小计(1 卷,共 2000 件)*

¥115,678.00

(不含税)

¥130,716.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年5月11日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每卷*
2000 - 2000RMB57.839RMB115,678.00
4000 - 4000RMB56.682RMB113,364.00
6000 +RMB55.548RMB111,096.00

* 参考价格

RS 库存编号:
254-7666
制造商零件编号:
NTBL045N065SC1
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

58A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

HPSOF-8L

系列

NTB

安装类型

通孔

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

117W

最大栅源电压 Vgs

22 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

105nC

正向电压 Vf

4.5V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,33 mohm,650 V,M2,TOLL 碳化硅 (SiC) MOSFET - 33 mohm,650 V,M2,TOLL


ON Semiconductor NTB 系列碳化硅 MOSFET 采用全新技术,与硅相比,提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外,具有低接通电阻和紧凑型芯片尺寸。它可确保低电容和门充电。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

主体二极管的零反向恢复电流,超低栅极充电,高速切换和低电容