onsemi N沟道MOS管, Vds=650 V, 99 A, TO247-4L, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 254-7670
- 制造商零件编号:
- NTH4L025N065SC1
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB136.30 |
| 10 - 99 | RMB125.65 |
| 100 - 249 | RMB120.01 |
| 250 + | RMB117.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 254-7670
- 制造商零件编号:
- NTH4L025N065SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 99 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO247-4L | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 99 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO247-4L | ||
安装类型 通孔 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，19 mohm，650 V，M2，TO-247-4L 碳化硅 (SiC) MOSFET - 19 mohm，650 V，M2，TO247−4L
ON Semiconductor NTH 系列碳化硅 MOSFET 采用全新技术,与硅相比,提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外,具有低接通电阻和紧凑型芯片尺寸。它可确保低电容和门充电。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。
用于电信中超低栅极充电,高速切换和低电容