onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 58 A, TO-247, 通孔安装, 7引脚, NTH系列
- RS 库存编号:
- 254-7671
- 制造商零件编号:
- NTH4L075N065SC1
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 管，共 450 件）*
¥20,645.10
(不含税)
¥23,328.90
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | RMB45.878 | RMB20,645.10 |
| 900 - 900 | RMB44.961 | RMB20,232.45 |
| 1350 + | RMB44.061 | RMB19,827.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 254-7671
- 制造商零件编号:
- NTH4L075N065SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | NTH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 4.5V | |
| 最大功耗 Pd | 117W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 61nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 58A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 NTH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 4.5V | ||
最大功耗 Pd 117W | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，57 mohm，650 V，M2，TO-247-4L 碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，57 mohm，650 V，M2，TO-247-4L
ON Semiconductor NTH 系列碳化硅 MOSFET 采用全新技术,与硅相比,提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外,具有低接通电阻和紧凑型芯片尺寸。它可确保低电容和门充电。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。
用于电信,高温环境下高可靠性,高速切换和低电容