onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=58 A, 7针, TO-247, NTH系列

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RS 库存编号:
254-7671
制造商零件编号:
NTH4L075N065SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

58A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-247

系列

NTH

安装类型

通孔

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

61nC

正向电压 Vf

4.5V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

22V

最大功耗 Pd

117W

最高工作温度

175°C

标准/认证

Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a

汽车标准

AEC-Q101

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，57 mohm，650 V，M2，TO-247-4L 碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，57 mohm，650 V，M2，TO-247-4L


ON Semiconductor NTH 系列碳化硅 MOSFET 采用全新技术,与硅相比,提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外,具有低接通电阻和紧凑型芯片尺寸。它可确保低电容和门充电。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

用于电信,高温环境下高可靠性,高速切换和低电容

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