制造商编号

onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=58 A, 7针, TO-247, NTH系列

RS 库存编号:: 254-7673
制造商零件编号:: NTHL015N065SC1
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=58 A, 7针, TO-247, NTH系列

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RS 库存编号:: 254-7673
制造商零件编号:: NTHL015N065SC1
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	58A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	系列	NTH
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	22mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	117W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	283nC
	正向电压 Vf	4.5V
	最大栅源电压 Vgs	22V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 58A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	系列 NTH
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 22mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 117W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 283nC
	正向电压 Vf 4.5V
	最大栅源电压 Vgs 22V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - NTHL015N065SC1

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，12 mohm，650 V，M2，TO-247-3L

ON Semiconductor NTH 系列碳化硅 MOSFET 采用全新技术,与硅相比,提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外,具有低接通电阻和紧凑型芯片尺寸。它可确保低电容和门充电。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

用于太阳能逆变器高接点温度高速切换和低电容

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