DiodesZetex N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, X4-DSN1111-4
- RS 库存编号:
- 254-8599
- 制造商零件编号:
- DMN2030UCA4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥4,080.00
(不含税)
¥4,620.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 3,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB1.36 | RMB4,080.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 254-8599
- 制造商零件编号:
- DMN2030UCA4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | X4-DSN1111-4 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 X4-DSN1111-4 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.6nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
DiodeZetex 增强模式 MOSFET 设计用于最大程度地减少接通状态电阻,同时保持出色的切换性能,使其特别适用于高效率电源管理应用。它适用于电池保护和电池
用于负载开关,快速切换速度,无卤素和钽