DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 26 A, PowerDI3333-8, 8引脚
- RS 库存编号:
- 254-8652
- 制造商零件编号:
- DMTH10H032LFVWQ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB2.792 | RMB8,376.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 254-8652
- 制造商零件编号:
- DMTH10H032LFVWQ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerDI3333-8 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 1.73W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 26A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerDI3333-8 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 1.73W | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.3mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
高度 0.8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodeZetex 增强模式 MOSFET 设计用于满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,由 PPAP 支持,特别适用于背光、直流到直流转换器和电源管理功能
低接通电阻湿桌面侧面,用于改进光学检验,低切换损耗,无卤素和钼