DiodesZetex N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 25 A, PowerDI5060-8.
- RS 库存编号:
- 254-8658P
- 制造商零件编号:
- DMTH10H038SPDW-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB7.388 |
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| 250 - 990 | RMB6.669 |
| 1000 + | RMB6.335 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 254-8658P
- 制造商零件编号:
- DMTH10H038SPDW-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerDI5060-8. | |
| 最大功耗 Pd | 2.7W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerDI5060-8. | ||
最大功耗 Pd 2.7W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
DiodeZetex 增强模式 MOSFET 设计用于最大程度地减少接通状态电阻,同时保持出色的切换性能,使其特别适用于高效率电源管理应用。它适用于直流到直流转换器和电动机
低接通电阻湿桌面侧面,用于改进光学检验,低输入电容,无卤素和钼