DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 11 A, PowerDI5060-8., 8引脚
- RS 库存编号:
- 254-8665P
- 制造商零件编号:
- DMTH15H017SPSWQ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥919.50
(不含税)
¥1,039.00
(含税)
暂时缺货
- 2,500 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB18.39 |
| 100 - 245 | RMB17.47 |
| 250 - 995 | RMB16.598 |
| 1000 + | RMB15.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 254-8665P
- 制造商零件编号:
- DMTH15H017SPSWQ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | PowerDI5060-8. | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.73W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.4mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 PowerDI5060-8. | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.73W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.4mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 5.15 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodeZetex 增强模式 MOSFET 设计用于最大程度地减少接通状态电阻,同时保持出色的切换性能,使其特别适用于高效率电源管理应用。它适用于直流到直流转换器和电动机
低接通电阻,高转换效率,低输入电容,无卤素和硅树脂