ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 10.7 A, HSOP-8, RS6L120BGTB1, RS6L120BG系列

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制造商零件编号:
RS6L120BGTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

10.7A

最大漏源电压 Vd

12V

系列

RS6L120BG

包装类型

HSOP-8

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

104W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

ROHM N 通道 60V 150A 功率 MOSFET 是无铅镀层,符合 RoHS 标准的设备。

低接通电阻高功率封装 (HSOP8) 无卤 100% Rg 和 UIS 测试

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。