Vishay N沟道功率MOSFET, Vds=200 V, Id=5.9 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRF630系列
- RS 库存编号:
- 256-7274
- 制造商零件编号:
- IRF630PBF
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 256-7274
- 制造商零件编号:
- IRF630PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | IRF630 | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.4Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 2V | |
| 最大功耗 Pd | 74W | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 4.65mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.9A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 IRF630 | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.4Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 10V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 2V | ||
最大功耗 Pd 74W | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 4.65mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRF630系列功率MOSFET,200 V最大漏源电压,5.9 A最大连续漏电流 - IRF630PBF
这款功率MOSFET是一种专为高压电源应用设计的半导体开关，在N沟道配置中提供受控导通，适用于通孔‑安装。它适用于需要在宽环境温度范围内具备稳健电压阻断和开关能力的电路。
特性和优点：
• 200V 漏源‑额定电压支持高压‑开关操作
• 5.9A连续漏极电流，支持中等负载电流
• 0.4Ω导通电阻可降低开关过程中的导通损耗
• 74W 的功耗可实现充足的热处理能力
• 43nC典型栅极电荷带来可预测的开关特性
• 10V栅极限制确保与常见栅极驱动电平兼容
• 5.9A连续漏极电流，支持中等负载电流
• 0.4Ω导通电阻可降低开关过程中的导通损耗
• 74W 的功耗可实现充足的热处理能力
• 43nC典型栅极电荷带来可预测的开关特性
• 10V栅极限制确保与常见栅极驱动电平兼容
应用
• 适用于离线转换器的电源开关
• 适合放大器输出级开关应用
• 用于紧凑型组件的电机‑控制驱动器
• 可用于TO‑220封装设计的替换晶体管任务
• 适用于采用通孔‑组装的工业电源
• 适合放大器输出级开关应用
• 用于紧凑型组件的电机‑控制驱动器
• 可用于TO‑220封装设计的替换晶体管任务
• 适用于采用通孔‑组装的工业电源
它在运行过程中能够承受的温度范围是多少？
它能在-55°C至+150°C的温度范围内可靠运行，适应恶劣的热环境。
该器件如何安装在PCB或电子散热器上？
该元件采用TO‑220AB封装，具有三个通孔‑引脚，用于电路板焊接固定，并通过插片连接电子散热器。
通道极性是什么？典型正向电压是多少？
该器件采用N‑型沟道，导通时正向电压约为2V。
它是否适合汽车认证?
它未经汽车标准认证，但可用于不需要此类认证的非‑汽车电子设备。
相关链接
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