Vishay N型沟道 功率 MOSFET, Vds=200 V, 5.9 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF630系列
- RS 库存编号:
- 256-7274
- 制造商零件编号:
- IRF630PBF
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 256-7274
- 制造商零件编号:
- IRF630PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | IRF630 | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.4Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43nC | |
| 最大功耗 Pd | 74W | |
| 正向电压 Vf | 2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 4.65mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.9A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 IRF630 | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.4Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43nC | ||
最大功耗 Pd 74W | ||
正向电压 Vf 2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 10V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 4.65mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRF630系列功率MOSFET,200 V最大漏源电压,5.9 A最大连续漏电流 - IRF630PBF
这款功率 MOSFET 是一款通孔 N 通道晶体管,专为工业电子系统中的开关和放大而设计。它在高电压下工作,适用于需要大功率处理和耐热性的应用。该设备采用 TO-220AB 封装,可集成到传统的板载组件中。
特性和优点：
• 200V 漏源额定值,支持高电压开关应用 • 5.9A连续漏电流,可持续处理负载 • 0.4Ω Rds(on),可减少负载下的传导损耗 • 74W 功耗,可实现更高的功率传输 • 43nC 典型栅极电荷,满足可预测驱动需求 • 额定温度高达+150°C,可在宽泛的温度范围内运行
应用
• 适用于需要高电压晶体管的开关模式电源 • 适用于工业自动化设备的电机控制级别 • 用于高压继电器和固态开关模块 • 可用于通孔电源设计中的原型设计和维修 • 与需要大功率处理的分立放大器电路配合使用
在切换时,我应该考虑哪些栅极驱动限制?
栅极必须在栅极和源之间耐受高达 10V 的电压
驱动器设计为提供足够的电荷,以满足典型的 43nC 栅极电荷,以实现所需的切换速度。
这款组件应如何进行热管理?
将封装安装在散热器上,或确保足够的印刷电路板铜和气流,以消散高达 74 W,并在计算热阻时考虑最大接点额定值。
它需要哪种安装和连接形式?
它是一款通孔设备,采用三个引脚,采用TO-220AB封装,与标准通孔插座和散热器连接方式兼容。
运行期间支持哪种环境温度范围?
它的额定工作温度低至-55°C和高达+150°C,可在各种环境条件下使用。