Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=50 V, 1.1 A, HVMDIP, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 256-7283P
- 制造商零件编号:
- IRFD9010PBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 20 | RMB10.458 |
| 25 - 45 | RMB10.244 |
| 50 - 70 | RMB10.03 |
| 75 + | RMB9.838 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7283P
- 制造商零件编号:
- IRFD9010PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | HVMDIP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.1A | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 HVMDIP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor P 通道 mosfet HVMDIP 旨在用于与 n 通道器件互补对称性提供电路简化的电源阶段。HVMDIP 设计的高效几何形状和独特的处理可实现非常低的接通电阻,结合高透导性和极端的器件坚固性。
用于自动插入
紧凑型,端部可堆叠
快速切换
低驱动电流
易于并行
出色的温度稳定性