Vishay N沟道功率MOSFET, Vds=200 V, Id=4.8 A, 3针, TO-252, IRFR220系列

RS 库存编号:: 256-7309
制造商零件编号:: IRFR220PBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道功率MOSFET, Vds=200 V, Id=4.8 A, 3针, TO-252, IRFR220系列

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RS 库存编号:: 256-7309
制造商零件编号:: IRFR220PBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	4.8A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	IRFR220
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.8Ω
	正向电压 Vf	1.8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	14nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	42W
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	高度	2.39mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 4.8A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 IRFR220
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.8Ω
	正向电压 Vf 1.8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 42W
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	高度 2.39mm
	汽车标准否

Datasheet - IRFR220PBF

Vishay IRFR220系列功率MOSFET，最大漏源电压200V，最大功耗42W - IRFR220PBF

这款功率 MOSFET 是一款高压 N 沟道晶体管，适用于表面贴装设计的开关和放大任务。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛环境，并采用紧凑型TO-252封装，适合PCB安装式功率级应用。

特性和优点：

• 200V 漏源额定电压支持高压开关操作
• 0.8Ω Rds(on) 可降低负载下的传导损耗
• 4.8A连续漏极电流支持中等电流
• 典型栅极电荷为14nC，可实现更快的栅极转换
• 42W最大功耗可承受显著的热应力
• ±20V栅极耐受能力简化了驱动电压的选择

应用

• 适用于需要200V器件的DCDC转换器
• 适用于紧凑布局中的开关电源
• 用于需要中等电流处理能力的电机驱动装置
• 可用于工业控制开关功能
• 适用于PCB上的高压保护电路

该组件需要采用哪种安装方式？

它适用于TO-252封装的表贴组装，为获得良好的散热与电气性能，应直接焊接在PCB焊盘上。

温度对连续运行限制有何影响？

该器件规定的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C。

在超过环境温度上限时，必须采取热降额措施，以保持额定连续电流和功耗。

建议考虑哪些栅极驱动因素？

最大栅源电压为20V，因此栅极驱动器应将振幅限制在此范围内，并在确定驱动器电流大小时考虑14nC典型栅极电荷。

外壳设计应支持多大的封装高度？

机械间隙应能容纳从PCB表面至最高点测量高度为2.39mm的元件。