Vishay N型沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 0.31 A, SOT-563, 表面安装, 6引脚, SI1026X-T1-GE3, Si1026X系列

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制造商零件编号:
SI1026X-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.31A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

Si1026X

包装类型

SOT-563

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

1.4Ω

通道模式

N

正向电压 Vf

1.4V

最大栅源电压 Vgs

10 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

1.5mm

宽度

1.5 mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

高度

0.56mm

汽车标准

Vishay Semiconductor mosfet 阵列 2 N 通道双路 60V 305mA 250mW 表面安装 SC-89 (SOT-563F) 无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义。

低接通电阻 1.40 Ω

低阈值 2 V

低输入电容 30 pF

低输入和输出泄漏

ESD 保护 2000 V