Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=-8 V, -6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, Si2329DS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
256-7347P
制造商零件编号:
SI2329DS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-6A

最大漏源电压 Vd

-8V

系列

Si2329DS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.12Ω

最大功耗 Pd

2.5W

最大栅源电压 Vgs

5 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.3nC

最高工作温度

150°C

高度

1.12mm

长度

3.04mm

宽度

1.4 mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

汽车标准

Vishay Semiconductor P 通道 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) 表面安装 SOT-23-3 (TO-236) 无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义。

TrenchFET 功率 Mosfet

100% Rg 测试

符合 RoHS 指令 2002/95/EC