Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=-8 V, -6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2329DS-T1-GE3, Si2329DS系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 50 件 (按连续条带形式提供)*

RMB162.95

(不含税)

RMB184.15

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 1,825 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
50 - 75RMB3.259
100 - 225RMB3.095
250 - 975RMB2.941
1000 +RMB2.794

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
256-7347P
制造商零件编号:
SI2329DS-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-6A

最大漏源电压 Vd

-8V

系列

Si2329DS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.12Ω

最大功耗 Pd

2.5W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.3nC

正向电压 Vf

-1.2V

最大栅源电压 Vgs

5V

最高工作温度

150°C

长度

3.04mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

高度

1.12mm

宽度

1.4mm

汽车标准

否

Vishay Si2329DS系列MOSFET,-8V最大漏源电压,0.12Ω最大漏源电阻 - SI2329DS-T1-GE3


此 p 通道 MOSFET 可用作紧凑型表面安装开关设备,适用于低电压电子产品。它专为需要在紧凑布局中实现高效P通道控制的应用而设计,并在典型的P型开关的负排放源电压环境中运行。该设备采用三引线 SOT-23 封装,适用于密集电路板组件。

特性和优点：


• 0.12Ω 的低导通电阻,可降低传导损耗
• 额定连续漏电流为 6A,支持中等负载电流
• 最大漏源电压为-8V,可实现低电压切换
• 栅极容差高达5V,可实现直接的栅极驱动兼容性
• 典型栅极电荷为 19.3nC,可提供快速切换,驱动能量更低
• 功耗 2.5 W,可在负载下持续切换

应用


• 适用于电源导轨中的高侧负载切换
• 电池管理和保护电路的理想之选
• 与混合电压控制系统中的电平转换器配合使用
• 可用于极性反接或反向电流保护
• 适用于自动化设备的紧凑型配电模块

为实现可靠运行,可预期的工作温度范围是多少?


该组件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在冷启动和高温环境中使用。

封装选择对热性能有何影响?


SOT-23 表面贴装封装和 2.5 W 额定耗散功率需要精心的 PCB 热设计和热通道,以在连续负载下保持接点温度。

对于密集组件,有哪些机械尺寸要求?


该设备的最小高度为 1.12 mm,平面尺寸小,可实现紧凑的组件放置,同时保持三针连接简便。

符合法规制造的标准或材料要求是什么?


该组件符合 RoHS 标准,并符合 IEC 61249-2-21 材料规格,兼容印刷电路层压板。