Vishay P沟道MOS管, Vds=30 V, 6.4 A, TSOP-6, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 256-7358
- 制造商零件编号:
- SI3483DDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB1.531 | RMB4,593.00 |
| 6000 - 6000 | RMB1.50 | RMB4,500.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7358
- 制造商零件编号:
- SI3483DDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 6.4 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | TSOP-6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 6.4 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 TSOP-6 | ||
安装类型 贴片 | ||
Vishay Semiconductor P 通道 30 V 6.4A (Ta)、8A (Tc) 2W (Ta)、3W (Tc) 具有表面安装,封装类型为 6-TSOP。
TrenchFET gen IV p 通道功率 Mosfet
100% Rg 和 UIS 测试
表面安装在 1 x 1 FR4 板上
在稳定状态条件下的最大值为 110 °C/W
100% Rg 和 UIS 测试
表面安装在 1 x 1 FR4 板上
在稳定状态条件下的最大值为 110 °C/W