Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=-30 V, -6.4 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, SI3483DDV-T1-GE3, SI3483DDV系列
- RS 库存编号:
- 256-7359
- 制造商零件编号:
- SI3483DDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB3.996 | RMB99.90 |
| 50 - 75 | RMB3.797 | RMB94.93 |
| 100 - 225 | RMB3.606 | RMB90.15 |
| 250 - 975 | RMB3.426 | RMB85.65 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7359
- 制造商零件编号:
- SI3483DDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -6.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 包装类型 | TSOP-6 | |
| 系列 | SI3483DDV | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0513Ω | |
| 最大功耗 Pd | 3W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -6.4A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
包装类型 TSOP-6 | ||
系列 SI3483DDV | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0513Ω | ||
最大功耗 Pd 3W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 16V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SI3483DDV 系列 MOSFET,-30 V 最大漏源电压,0.0513Ω 最大漏源电阻 - SI3483DDV-T1-GE3
此 p 通道 MOSFET 是表面贴装半导体设备,设计用于控制紧凑型电子系统中的高侧开关和模拟功率功能。它的工作排放到源电压额定值为 30 V,适用于宽环境温度范围,适用于需要紧凑电源开关的严苛工业和自动化环境。
特性和优点:
• 低 Rds(on) 0.0513Ω,可降低传导损耗 • 连续漏电流 6.4 A,支持中等功率负载 • 典型栅极电荷为 4.5nC,可实现更快的栅极切换 • 最大功耗 3 W,可实现持久热负载 • 栅极源耐受电压为 16 V,可实现容差的栅极驱动边缘 • 工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于高温应用
应用
• 适用于自动化设备的高侧负载开关 • 适用于便携式系统中的电池管理电路 • 用于工业电子产品中的模拟功率控制 • 可用于热敏感 需要紧凑型 SMD 部件 • 与需要 P 通道拓扑的电机控制驱动器配合使用
紧凑型 PCB 布局使用哪种封装类型?
它采用 TSOP-6 表面贴装封装,带六个引脚,适用于紧凑的板材。
该设备在高接点温度下的表现如何?
它的额定工作温度高达+150°C,可在指定限值范围内在高温条件下持续传导和切换。
驱动设计中需要考虑的典型开关负载特性是什么?
典型栅极电荷为 4.5nC,可为栅极驱动能量和开关损耗计算提供信息。
哪些环境认证或材料标准适用?
该组件符合 RoHS 材料限制,符合受限物质标准。
