Vishay P型沟道MOSFET, Vds=-30 V, Id=-6.4 A, 6针, TSOP-6, SI3483DDV系列

RS 库存编号:: 256-7359
制造商零件编号:: SI3483DDV-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道MOSFET, Vds=-30 V, Id=-6.4 A, 6针, TSOP-6, SI3483DDV系列

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250 - 975	RMB3.065	RMB76.63
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RS 库存编号:: 256-7359
制造商零件编号:: SI3483DDV-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	-6.4A
	最大漏源电压 Vd	-30V
	系列	SI3483DDV
	包装类型	TSOP-6
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	0.0513Ω
	正向电压 Vf	-1.2V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.5nC
	最大功耗 Pd	3W
	最大栅源电压 Vgs	16V
	最高工作温度	+150°C
	高度	1.1mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id -6.4A
	最大漏源电压 Vd -30V
	系列 SI3483DDV
	包装类型 TSOP-6
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 0.0513Ω
	正向电压 Vf -1.2V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.5nC
	最大功耗 Pd 3W
	最大栅源电压 Vgs 16V
	最高工作温度 +150°C
	高度 1.1mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

Vishay SI3483DDV 系列 MOSFET，3W 最大功耗，-30V 最大漏源电压 - SI3483DDV-T1-GE3

这款 P 沟道 MOSFET 是一种表面贴装开关晶体管，专为紧凑型组件中的电子功率控制而设计。它能在宽温度范围内运行，适用于需要中等电流处理和高效传导的低压应用。该设备采用 TSOP-6 封装，专为标准 RoHS 制造环境而设计。

特性和优点：

• 低导通电阻 (Rds(on)) 0.0513Ω 可降低导通损耗
• 最大连续漏极电流 -6.4A，支持中等负载电流
• 漏源电压额定值为 -30V，允许低电压开关
• 栅极阈值允许高达 16V 的 Vgs，提供灵活的驱动范围
• 典型的栅极电荷为 4.5nC，可实现更快的开关速度，从而提高效率。
• 3W 的功耗限制了紧凑型设计的热负载

应用

• 用于便携式电子产品中的反向电池保护
• 适用于配电轨中的负载开关
• 适用于电池管理系统中的高边开关
• 可用于 USB 电源路径选择电路
• 与低压系统中的电机驱动门配合使用

该设备在运行过程中可承受哪些极端温度？

其额定操作温度范围为 -55°C 至 +150°C，可在恶劣的环境温度和高温电路板条件下使用。

它使用多少针脚？采用哪种安装方式？

封装有六个引脚，专为在填充的板上进行表面安装而设计。

应考虑哪种通道类型和导电极性？

该晶体管是一种 P 沟道设备，因此，源和漏极与 P 型开关配置保持一致。

这符合汽车行业标准要求吗？

它并非汽车标准零部件，不应假定其符合特定的汽车认证标准。