Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 6.4 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, SI3483DDV-T1-GE3

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包装方式:
RS 库存编号:
256-7359
制造商零件编号:
SI3483DDV-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

6.4A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TSOP-6

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

1.4Ω

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

Vishay Semiconductor P 通道 30 V 6.4A (Ta)、8A (Tc) 2W (Ta)、3W (Tc) 具有表面安装,封装类型为 6-TSOP。

TrenchFET gen IV p 通道功率 Mosfet

100% Rg 和 UIS 测试

表面安装在 1 x 1 FR4 板上

在稳定状态条件下的最大值为 110 °C/W